1. KSC3265OMTF
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厂商型号

KSC3265OMTF 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT NPN Epitaxial Transistor

内部编号

3-KSC3265OMTF

#1

数量:18351
1+¥0.3852
25+¥0.3852
100+¥0.3852
500+¥0.3852
1000+¥0.3082
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KSC3265OMTF产品详细规格

规格书 KSC3265OMTF datasheet 规格书
KSC3265
KSC3265OMTF datasheet 规格书
文档 Mold Compound 12/Dec/2007
Multiple Devices 14/Mar/2011
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 NPN
- 集电极电流(Ic)(最大) 800mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 400mV @ 20mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 100 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 200mW
频率转换 120MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23
包装材料 Tape & Reel (TR)
集电极最大直流电流 0.8
最小直流电流增益 100@100mA@1V
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 200
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 120(Typ)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 1
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SOT-23
最大集电极发射极电压 25
类型 NPN
引脚数 3
铅形状 Gull-wing
电流 - 集电极( Ic)(最大) 800mA
晶体管类型 NPN
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 120MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 400mV @ 20mA, 500mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 SOT-23
功率 - 最大 200mW
封装/外壳 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 100 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 3000
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
安装风格 SMD/SMT
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
直流集电极/增益hfe最小值 100
直流电流增益hFE最大值 320
单位重量 0.002116 oz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
配置 Single
最高工作温度 + 150 C
集电极 - 发射极饱和电压 0.4 V
集电极最大直流电流 0.8 A
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.8 A
增益带宽产品fT 120 MHz
最大功率耗散 0.2 W
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 55 C

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