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数量:18351 |
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规格书 |
KSC3265 |
文档 |
Mold Compound 12/Dec/2007 Multiple Devices 14/Mar/2011 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 800mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | 400mV @ 20mA, 500mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 100 @ 100mA, 1V |
功率 - 最大 | 200mW |
频率转换 | 120MHz |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23 |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
集电极最大直流电流 | 0.8 |
最小直流电流增益 | 100@100mA@1V |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
标准包装名称 | SOT-23 |
最低工作温度 | -55 |
最大功率耗散 | 200 |
最大基地发射极电压 | 5 |
Maximum Transition Frequency | 120(Typ) |
封装 | Tape and Reel |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 30 |
供应商封装形式 | SOT-23 |
最大集电极发射极电压 | 25 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
铅形状 | Gull-wing |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 800mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Surface Mount |
频率 - 转换 | 120MHz |
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 | 400mV @ 20mA, 500mA |
标准包装 | 3,000 |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 25V |
供应商设备封装 | SOT-23 |
功率 - 最大 | 200mW |
封装/外壳 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 100 @ 100mA, 1V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
安装风格 | SMD/SMT |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
直流集电极/增益hfe最小值 | 100 |
直流电流增益hFE最大值 | 320 |
单位重量 | 0.002116 oz |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 25 V |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
集电极 - 发射极饱和电压 | 0.4 V |
集电极最大直流电流 | 0.8 A |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.8 A |
增益带宽产品fT | 120 MHz |
最大功率耗散 | 0.2 W |
集电极 - 基极电压VCBO | 30 V |
最低工作温度 | - 55 C |
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